1所情概況編輯
中國科學院半導體研究所
[1] 是集半導體物理、材料、器件及其應用研究于一體的半導體科學技術的綜合性研究所。半導體所設有：半導體超晶格國家重點實驗室，中國科學院半導體照明研發中心，半導體材料科學中心，半導體材料科學重點實驗室，光電子研究發展中心，半導體集成技術工程研究中心，光電子器件國家工程研究中心，高速電路與神經網絡實驗室，表面物理國家重點實驗室（半導體所區），納米光電子實驗室，全固態光源實驗室、光電系統實驗室、圖書信息中心。其中有兩個***研究中心，三個國家重點實驗室，一個中國科學院院級研發中心和一個院級重點實驗室。
半導體所現有中科鎵英半導體有限公司、揚州中科半導體照明有限公司、蘇州中科半導體集成技術研發中心等合資公司。
為了適應知識**的需要，經過學科調整和目標凝練，主要研究領域包括：光電子及其集成技術；體材料、薄膜材料、微結構半導體材料科學技術；低維量子體系和量子工程、量子器件的基礎研究；半導體人工神經網絡和特種微電子技術。
半導體所共有10名中國科學院院士（已故兩位），2名中國工程院院士，其中已故黃昆院士榮獲2001年度國家*高科學技術獎。
半導體所現有職工640余人，其中科技人員460余人，正副研究員及**工程技術人員198名，千人計劃2人，“百人計劃”入選者及國家“杰青”獲得者35名、國家百千萬人才工程入選者6名。
半導體所是國家首批建立的博士后流動站設站單位和博士、碩士學位授予單位，設有三個博士后流動站、四個博士學科專業點、五個碩士學科專業點。在讀研究生共540余名，其中博士研究生285名，博士后在站人員近30名，研究生已經成為半導體所科研工作的生力軍。
2簡介編輯
1956年，在我國十二年科學技術發展遠景規劃中，半導體科學技術被列為當時國家新技術四大緊急措施之一。為了創建中國半導體科學技術的研究發展基地，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學院半導體研究所（以下簡稱半導體所），開啟了中國半導體科學技術的發展之路。
半導體所擁有兩個***研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室—半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室（半導體所區）；兩個院級實驗室（中心）—半導體材料科學重點實驗室、中科院半導體照明研發中心。此外，還設有半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、半導體材料科學中心、高速電路與神經網絡實驗室、納米光電子實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室和半導體能源研究發展中心。并成立了圖書信息中心，為研究所提供科研支撐服務。
半導體研究所現有職工640余名，其中科技人員460余名，中國科學院院士8名，中國工程院院士2名，正副研究員及**工程技術人員198名，“百人計劃”入選者及國家“杰青”獲得者35名、國家百千萬人才工程入選者6名。其中黃昆先生榮獲2001年度國家*高科學技術獎。設有5個碩士學位授予點，3個工程碩士培養點，4個博士學位授予點，3個博士后流動站。
半導體所高度重視國內外交流合作，與地方政府、科研機構、大學和企業等共建了1個院士工作站、3個研發（轉移）中心、9個聯合實驗室，積極為企業和區域經濟社會發展服務。同時積極開展多層次、全方位的國際學術交流與合作，成績顯著，科學技術部和國家外國專家局批準成立“***國際聯合研究中心”。并且以自主知識產權的**和專有技術投資，融合社會資本建立了10余家高技術企業，并實施科研成果轉化為現實生產力，已初步形成產業化、商品化規模。
半導體所秉承“以人為本、**跨越、唯真求實、和諧發展”的辦所理念，奮斗不息，勇攀高峰，取得了快速發展，研究所已逐漸發展成為集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成應用于一體的***半導體科學技術的綜合性研究機構。
半導體所的中長期發展戰略目標是：開展與國家發展密切相關的、世界科技前沿的基礎性、前瞻性、戰略性科技**活動，為發展我國的高新技術提供源源不斷的動力；以國家戰略需求為導向，開展戰略高技術研究，為國民經濟和國防建設提供科技支撐，并為相關行業的技術進步作出貢獻；吸引、聚集和培養國際**人才；建立具有******的、開放的實驗研究和測試平臺，實現科技**能力的跨越和持續發展，成為**我國半導體科學技術發展的火車頭。
